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三星电子西安工厂计划再升级

admin2个月前 (02-14)产业地产资讯26

　　本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

　　三星西安工厂将升级286层NAND闪存工艺。

　　三星电子正在将其中国西安工厂升级为286层（V9）NAND 闪存工艺，以应对当前的市场低迷并抵御来自中国半导体公司日益激烈的竞争。

　　自2023年以来，三星一直在推动将其西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡到236层（V8）生产线。然而，该公司决定更进一步，安装一条V9生产线。三星计划在今年上半年引进该工艺所需的新设备，并计划在下半年建立一条每月产能为2000~5000片晶圆的生产线。此次转型是三星保持技术领先地位和确保长期产品竞争力的更广泛战略的一部分。

　　2022年11月，三星电子宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子当时没有公开芯片的大小和实际密度，不过他们称之为业界蕞高的比特密度。

　　三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示：“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”

　　西安工厂是三星唯一的海外存储生产基地，对该公司的全球供应链至关重要，约占其NAND总产量的40%。

　　美国在2023年授予三星“经过验证的蕞终用户（VEU）”许可，这一决定至关重要。这一许可使三星能够在中国生产超过200层的NAND，使三星能够在地缘政治紧张的情况下继续在中国使用先进的制造工艺。

　　业内人士表示：“在韩国国内扩展先进NAND工艺的同时，该公司也在升级其在中国的NAND工艺。”这种双重方法凸显了三星致力于保持国内外竞争优势的决心。该公司还自2024年下半年开始致力于将400层（V10）NAND应用于平泽P1工厂的量产线，并可能在今年下半年实现初步量产。

　　三星电子表示，“我们计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。”

　　尽管取得了这些进步，但三星预计今年头部季度每月将生产42万个NAND单元，比上一季度减少25%。这一减少反映了当前移动和PC市场需求的低迷，受到价格上涨和利率上涨等经济因素的影响。然而，人工智能（AI）数据中心等行业的需求不断增长，这促使三星等公司专注于高性能、高容量的NAND生产。

　　值得注意的是，去年11月，三星电子正在计划销售各条前端和后端工艺生产线的旧设备，其中包括其位于中国西安的NAND闪存工厂。预计因美国政府压力堆积起来而无法及时出售的设备很快将通过第三方等方式出售。

　　业内人士透露，三星电子蕞近在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。与多家公司的讨论已经开始，预计出售过程将于2025年正式开始。销售的设备大部分是100层3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。

　　每年在设备上投资数十万亿韩元的三星电子已用尖端设备更换了半导体生产线，并将旧设备出售给外部公司。特别是，在将传统（成熟工艺）转换为先进工艺的过程中，此类设备的销售至关重要。与此同时，三星电子的旧工艺设备流入二手半导体设备市场进行回收。

　　问题在于，三星电子尚未出售不受美国制裁的设备。尽管三星电子避免对此做出官方解释，但业界的解释是，管理层采取尽可能谨慎的措施，以从美国政府获得VEU（验证蕞终用户）身份。

　　全球芯片代工市场竞争激烈，台积电占据领先地位，而三星则面临来自中国大陆厂商的竞争压力。随着中国大陆厂商产能的提升和技术突破，越来越多的中国客户选择将订单转向本土晶圆厂。三星在中国西安的芯片厂可能受到这一市场变化的影响，订单量减少，导致产线利用率下降。为了优化资源配置，三星选择出售部分旧设备和产线。与此同时，转向更先进的半导体产品制造。