罗姆SiC功率半导体产能将增加6倍

　　报道，日本IDM大厂罗姆（Rohm）计划，2025年前，要将碳化硅（SiC）功率半导体的营收扩大至1000亿日元以上；罗姆将投资蕞多1700亿日元，要让碳化硅功率半导体的产能增加至2021年时的6倍。

　　报道显示，6月8日，罗姆在日本福冈县筑后市举行碳化硅功率半导体专用生产厂房启用仪式。罗姆社长松本功表示，要以新厂房为起点，目标在2025年度成为全球市占龙头。这也是首度有日本半导体制造商，在日本国内盖碳化硅功率半导体的专用厂房。

　　在新厂房的启用仪式上，松本功表示，将切实地实施先行投资、同时提升生产能力，来拿下全球头部的位子，正在考虑1200亿日元到1700亿日元之间的投资。他还指出，未来要在日本福冈实施进一步的投资。

　　据了解，目前，罗姆有在日本福冈、宫崎两县的半导体工厂，运用6吋晶圆来生产碳化硅功率半导体。其中，位在福冈的新厂房，将从今年12月投入量产，生产能力将向上提升，并计划2025年之前开始利用8吋晶圆展开量产。

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